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第三代半导体衬底材料领域值得关注的五家企业

Innov100

2020-01-02 18:00:34

第三代半导体产业上游主要指针对半导体材料衬底及外延片的研发。其中衬底材料主要有SiC、Si、GaN、金刚石、Ga2O3等材料。

SiC衬底主要分为半导电型和半绝缘型，半导电型SiC衬底以n型衬底为主，主要用于外延GaN基LED等光电子器件、SiC基电力电子器件等，半绝缘型SiC衬底主要用于外延制造GaN高功率射频器件。GaN市场由日本厂商主导，超过85%的市场份额掌握在住友电工、三菱化学及住友化学3家日本企业手中。此外，美国的Kyma公司、法国的Lumilog公司也已实现了2英寸GaN衬底的产业化开发。GaN外延企业主要有比利时的EpiGaN、英国的IQE、日本的NTT-AT。

国内在上游产业的研究方面则稍显落后，目前，SiC衬底仍以4英寸为主，6英寸衬底已开始小批量供货。SiC外延片方面，实际用于器件生产的4英寸外延片最大厚度约为50μm，国内已经开始小批量生产6英寸SiC外延片。国内批量生产的GaN衬底方面以2英寸为主，同时国内多家企业已经研制出8英寸Si及GaN外延片，SiC和蓝宝石衬底的GaN外延片的尺寸可达6英寸。而Ga2O3衬底尚处于研究阶段。

第三代半导体衬底材料领域值得关注的五家企业

1、山东天岳先进材料科技有限公司

山东天岳公司成立于2011年12月，是以第三代半导体碳化硅材料为主的高新技术企业。公司投资建成了第三代半导体产业化基地，具备研发、生产、国际先进水平的半导体衬底材料的软硬件条件，是我国第三代半导体衬底材料行业的先进企业。国家工信部主管下的中国宽禁带半导体产业联盟理事长单位，是中国战略性新兴产业企业理事联盟副理事长单位。公司拥有1个国家级博士后科研工作站，2个省级研发平台，拥有专利 70 余项，其中发明专利 20 余项，获得 2013年山东省技术发明一等奖。

2016年11月完成战略融资，融资金额未披露，投资方为国开行；

2019年8月完成A轮融资，融资金额未披露，投资方为哈勃投资。

2、河北同光晶体有限公司

河北同光晶体有限公司成立于2012年，位于保定市高新技术开发区，主要从事第三代半导体材料碳化硅衬底的研发和生产。公司主要产品包括4英寸和6英寸导电型、半绝缘碳化硅衬底，其中4英寸衬底已达到世界先进水平。目前，公司已建成完整的碳化硅衬底生产线，是国内著名的碳化硅衬底生产企业。

3.东莞市中镓半导体科技有限公司

东莞市中镓半导体科技有限公司总部设于广东东莞，总部设立厂房办公区等共17000多平方米，并在北京设立面积达1000平方米的大型研发中心，为中国国内首家专业生产氮化镓（GaN）衬底材料的企业。本企业以北京大学宽禁带半导体研究中心为技术依托，引进国内外优秀的技术及管理团队，拥有先进的技术及管理优势。

4、苏州晶湛半导体有限公司

晶湛半导体是一家电子技术领域的GaN外延材料生产商，致力于为高效率GaN电子开发整体用电量低的GaN外延晶片。由于其高临界电场，基于GaN的器件可以同时实现低特定的Ron和快速的开关及振荡，公司产品恩克里斯晶圆被优化为具有极低的缓冲泄漏和低缓冲陷阱，性能提高。

2016年4月完成A轮融资，融资金额未披露，投资方为苏州科技创投；

2018年1月完成B轮融资，融资金额未披露，投资方为广东联景资产管理有限公司；

2018年12月完成C轮融资，融资金额未披露，投资方为湖州诚意材料科技有限公司、深圳市恒信华业股权投资基金管理有限公司；

2019年4月完成D轮融资，融资金额未披露，投资方为元禾原点、天合智慧能源投资发展(江苏)有限公司。