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以碳化硅(SiC)及氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料,凭借高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射等特性,实现了更好的电子浓度和运动控制,成为未来超越摩尔定律的倚赖。本文我们盘点第三代半导体 ......

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